FET는 트랜지스터의 한 종류로서 ‘Field Effective Transistor’의 약어이다. 전계효과 (電界效果)
트랜지스터라고 번역되며 종래의 바이폴러(Bipolar) 트랜지스터와 특별히 구분하고자 할 때 자주 사용하는
용어이다. 이 FET는 동작원리가 일반 트랜지스터의 베이스에 해당하는 게이트에 전압을 걸면 소스와 드레인이라
불리는 양 채널에 전계(電界)가 나타나 이의 세기에 따라 양 채널 사이의 전류를 흘리는 통로의 유효
단면적이 변화함으로써 전류를 제어하는 데서 그 이름이 연유되었다.
FET는 구조상의 차이에 따라
J-FET(Junction FET)와 MOS-FET로 나뉘어지며, 현재 MOS-FET가 주로 사용된다.
여기서 MOS란 ‘Metal Oxide Silicon’ 의 약어로서 게이트의 구조가 이산화실리콘 이
절연된 상태로 되어 있기 때문에 붙여진 이름이다.
FET는 일반 트랜지스터와는
달리 베이스에 해당하는 게이트에 전류를 흘리지 않고 전압을 걸기만 하면 제어가 되므로 제어전력이 작아도
되는 장점이 있고, 전압만으로 제어한다는 점에서 진공관과 닮은 데가 있다. 그외에 주파수특성 및 스위칭
특성이 일반 트랜지스터에 비해 매우 우수하다. 위성방송 안테나에 부착되는 컨버터 속의 트랜지스터는 수
GHz대에서 동작해야 하므로 FET가 아니면 안될 만큼 고주파 특성이 우수하다.
또한 열계수가 부(-)이기 때문에 바이폴러 트랜지스터와 같이 열이 증가하면 전류가 증가하고 전류가 증가한만큼
열이 더 나고 이에 따라 더욱 전류가 증가하여 종국에 가서는 매우 뜨거워져 파괴되어 버리는 열폭주현상이
없는 것도 큰 장점이다. 이 FET는 제조공법이 어려워 일반 트랜지스터 보다 나중에 발전되었다. 특히 내압이
낮고 많은 전류를 흘릴 수 없는 것이 단점이었으나 70년대 중반 V-FET라고 하는 일종의 MOS-FET가나와
파워 FET 시대를 열었다.
V-FET는 ‘Vertical FET’의 약어로서 그 특성곡선이 3극진공관과 매우 흡사하여 화제를 일으켰고 곧 이러
일본 소니사에서 이를 이용한 고급 앰프가 생산되었다. 그후 일반 MOS-FET 앰프시대를 맞이하였다.
현재는 파워
MOS-FET의 가격도 저렴하여져 많은 파워앰프들이 출력단에 MOS-FET를 사용하고 있는데 캐나다의 클라세
오디오와 미국의 스레숄드 및 해플러사의 파워앰프들이 대표적 예이다. 또한 FET는 전압구동형으로 진공관과
유사성이 많기 때문에 혼합하여 하이브리드 형태로 사용되는 경우가 많다. 미국 카운터 포인트사의 파워앰프인
SA-20과 오디오 리서치사의 프리앰프인 SP-14등이 그 대표적인 예이다. 한마디로 FET는 진공관의
특성을 가진 트랜지스터 형태의 부품이라 해도 지나친 말은 아닐 것이다.
