Á¦Ç°¼³¸íÀº,
½º·¹¼ñµå»ç°¡ »õ·Î¿î T ½Ã¸®Áî·Î °³¹ßÇÑ
ÀÌ ¸ðµ¨ÀÇ Æ¯Â¡Àº MOS-FET ȸ·Î¿Í J-FET ÀԷ´Ü,
±×¸®°í IGBT Ãâ·Á´Ü ä¿ëÀ¸·Î BipolarƯ¡À»
°âºñÇÑ ¼¶¼¼ÇÏ°íµµ °·ÂÇÑ ±¸µ¿·ÂÀ» °®Ãá ÆÄ¿ö¾ÚÇÁ.
500VA Åä·ÎÀÌ´Þ Æ®·£½ºÆ÷¸Ó¿Í 128,000§Þ ÇÊÅ͸¦ ÀåÂøÇÑ µà¾ó ¸ð³ë·² ¹æ½Ä,
ÆÄ¿ö ¼ÇöóÀÌ ¼³°è°¡ Àß µÇ¾î ÀÖ´Â ÇÏÀÌ¿£µåÇü.
Ŭ·¡½º A±Þ ÁõÆø ȸ·Î Ãâ·ÂÀº ä³Î´ç 150W(8§Ù),
Low Feedback ¼³°è·Î Áö±ØÈ÷ ¾ÈÁ¤µÈ ½Ã±×³Î Ãâ·ÂÀ» ³»ÁÖ°í ÀÖ´Ù.
¶ÇÇÑ ±Ýµµ±ÝµÈ ÀÔÃâ·Â ´ÜÀÚ¿Í ¹ë·±½º ÀÔÃâ·Â ´ÜÀÚ¸¦ ä¿ëÇØ ³õ°í ÀÖ´Ù.
½Ç È¿ Ãâ ·Â
150W + 150W
Ãâ ·Â ´Ü
¼ø A±Þ, Ãâ·Â´Ü IGBT ä¿ë
¿Ö À²
0.02 %
Å© ±â
470¡¿220¡¿500 §®
Áß ·®
43 §¸
°¡°ÝÀº 400 ¸¸¿ø.